项博媛
来源:   作者:   点击数:   日期:2020/03/13
职务名称 实验师

项博媛  实验师


教育背景:

2007.08-2010.06  湖南大学  硕士  凝聚态物理

2003.08-2007.06  湖南大学  本科  应用物理学  

工作经历

2020.03-至今    深圳技术大学  实验师

2017.12-2020.01  香港中文大学(深圳) 深圳市半导体激光重点实验室  高级工程师

2016.09-2017.11  惠州比亚迪实业有限公司  高级研发工程师

2010.06-2016.08  湘能华磊光电股份有限公司  工艺工程师

研究领域:

[1] GaN材料外延生长

[2] GaAs基激光器芯片工艺

[3] 干法刻蚀对器件的影响

专利:

[1] 一种增加GaN基反向电压的外延结构(已授权)

[2] 一种增加GaN基反向电压的外延结构及其生长方法(已授权)

[3] 提升Mg空穴浓度的LED外延结构及其生长方法(已授权)

[4] LED外延结构及其制备方法和半导体器件

联系方式:

Email: xiangboyuan@sztu.edu.cn





广东省深圳市坪山区兰田路3002号
邮编:518118
粤ICP备16106131号
© 2017 All Rights Reserved.