2021年11月，我院助理教授吴丹 课题组与合作单位，以“利用电偶极层增强空穴注入实现高效蓝光磷化铟量子点发光二极管（Enhancing hole injection by electric dipoles for efficient blue InP QLEDs）”为题在Applied Physics Letters发表最新研究成果。Applied Physics Letters是美国物理学会（AIP）主办的老牌经典期刊，出版应用物理领域的重要研究成果，2020年影响因子3.791（物理大类JCRQ1，RANK6/58）。吴丹助理教授为本文的共同通讯作者，合作通讯作者为南方科技大学的王恺副教授和孙小卫讲席教授。

磷化铟（InP）量子点发光二极管（QLED）是一种环保型发光器件，因其兼容低成本溶液处理法和相对传统镉系QLED的低毒性，近年来得到产业与学术界的广泛关注。尽管经过研究者多年的努力，红光和绿光InPQLED的外量子效率（EQE）已被提升至21.4%和16.3%，且稳定性亦得到长足进步，然而目前报道的蓝光InPQLED的最高EQE仅为2.5%，仍远低于镉系同类竞品。考虑到蓝光InPQLED中的相对严重的载流子注入失衡是一项重要的性能限制因素，作者提出一种在空穴注入层（HIL）和空穴传输层（HTL）间插入一层超薄MoO₃电偶极层（EDL）的方法，在HIL/HTL界面处构建一对合力与空穴注入同向的高强度内建电场，以促进空穴注入与传输。同时，MoO₃EDL较深的能级使之能对两侧的HIL和HTL产生等效P型掺杂的效果，因此增加了界面处HIL和HTL的载流子浓度并减少了两者的缺陷密度，使界面处HIL和HTL的有效空穴迁移率有效提升。得益于上述增强效果，加入MoO₃EDL的蓝光InPQLED的最大EQE从对照组的1.0%提升至2.1%。本工作为调制空穴的注入和传输以实现QLED中载流子的平衡注入提供了有效参考。

全文链接：https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/5.0071508

图. QLED能级结构、电流密度-电压-亮度表征、内建电场示意图、基于SCLC模型的载流子注入分析、EQE对比和相关计算公式。