项博媛 实验师

个人介绍：

项博媛，理学硕士，实验师。2010年硕士毕业于湖南大学物理与微电子科学学院。毕业后入职于湘能华磊光电股份有限公司从事GaN基材料MOCVD外延工艺生长，熟练掌握多种MOCVD设备机型（AIXTRON,VEECO）及其工艺研发,并熟悉LED芯片工艺制造。2017年12月加入香港中文大学（深圳）深圳半导体激光器重点实验室任高级工程师，负责GaAs基激光器芯片工艺制作、设备及实验室管理。 在外延材料生长及半导体制造工艺特别是干法刻蚀方面有着丰富的经验，并以第一发明人申请多篇专利并授权，同时以工艺负责人参与发表多篇论文。

教育背景：

2007.09-2010.06    湖南大学，物理与微电子科学学院，硕士

2003.09-2007.06    湖南大学，物理与微电子科学学院，本科

工作经历：

2020.03-至今          深圳技术大学，新材料与新能源学院，实验师

2017.12-2020.01    香港中文大学（深圳），深圳半导体激光器重点实验室，高级工程师

2016.09-2017.11    惠州比亚迪实业有限公司，高级研发工程师

2010.06-2016.08    湘能华磊光电股份有限公司，工艺师

研究方向：

1. GaN基LED材料外延生长

2. GaAs基激光器芯片工艺

3. 干法刻蚀对器件的影响

科研项目：

3.龙岗区有机光电材料与器件重点实验室（参与人）

2.深圳市基础研究（自由探索，参与人）

1.深圳市半导体激光器重点实验室（参与人，已结题）

代表论文：

3. Taojie Zhou and Mingchu Tang, Guohong Xiang, Boyuan Xiang,Huiyun Liu, Zhaoyu Zhang,* Continuous-Wave Quantum-Dot Photonic Crystal Lasers Grown on On-axis Silicon (001), Nature Communication,20 February 2020(11).

2. Xiu Liu, Lijuan Wang, Xuan Fang, Taojie Zhou, Guohong Xiang, Boyuan Xiang,Xueqing Chen, Suikong Hark, Hao Liang, Shuming Wang*, and Zhaoyu Zhang, Continuous Wave Operation of GaAsBi Microdisk Lasers at Room Temperature with Large Wavelength Ranging from 1.27 to 1.41 μm. Photonics Research,Vol7，issue5,p508,May1, 2019.

1. Taojie Zhou, Mingchu Tang, Guohong Xiang, Xuan Fang, Xiu Liu, Boyuan Xiang,Suikong Hark, Mickael Martin, Marin-Leonor Touraton, Thierry Baron, YiLu, Siming Chen, Huiyun Liu, Zhaoyu Zhang,* Ultra-low threshold InAs/Ga quantum dot microdisk lasers on planar on-axis Si (001) substrates, Optica,Vol6,Issue4,P430,Apr20,2019,.

代表专利：

1.一种增加GaN基反向电压的外延结构（第一发明人，已授权）

2.一种增加GaN基反向电压的外延结构及其生长方法（第一发明人，已授权）

3.提升Mg空穴浓度的LED外延结构及其生长方法（第一发明人，已授权）

4. LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片（已授权）

5.一种盘型激光器件（已授权）

6. LED外延结构及其制备方法和半导体器件（第一发明人，公示）

7.发光二极管外延片及其制造方法（公示）

8.一种降低微腔半导体激光器阈值的方法（公示）

9.半导体微腔激光器的制备方法和半导体（公示）

联系方式：

电子邮箱：xiangboyuan@sztu.edu.cn