杨卉 副研究员
个人介绍：
杨卉，工学博士，副研究员，2023年于北京交通大学获得光学工程专业博士学位。2021年4月至2022年4月受国家留学基金委资助在北海道大学电子科学研究所联合培养并担任Research Fellow，合作导师为Hiromichi Ohta教授。主要研究领域包括透明非晶氧化物薄膜、薄膜晶体管、电场热电调制。近五年内在领域内重要期刊发表论文16篇，其中第一作者及通讯作者论文共6篇。多次参加国际学术会议并做报告，获得了最佳论文、最佳报告等奖项。作为研究骨干参与两项国家自然科学基金面上项目、两项日本学术振兴会(JSPS)重大科研项目，主持一项中央高校基本科研业务费项目。
教育背景（倒序）：
2021.04-2022.04 北海道大学，物理电子学，联合培养博士（国家公派）
2019.09-2023.09 北京交通大学，光学工程，博士（硕博连读）
2017.09-2019.07 北京交通大学，电子科学与技术，硕士（硕博连读）
2013.09-2017.07 北京化工大学，电子科学与技术，本科
工作经历（倒序）：
2023.10-至今 深圳技术大学，新材料与新能源学院，副研究员
主要荣誉（倒序）：
2022年获The 29th International Display Workshops最佳学生论文奖
2022年获第23回北海道大学电子科学研究所国际专题研讨会最佳海报奖
2022年获第19回日本薄膜材料与器件研究集会最佳论文奖
2022年获日本陶瓷协会东北北海道支部研究发表会优秀发表奖
2021年获国家留学基金委“国家建设高水平大学公派研究生项目”奖学金
2020年获北京交通大学三好研究生
2019-2022年获北京交通大学一等学业奖学金
2018年获北京交通大学优秀研究生助教
2017年获北京化工大学三好学生
研究方向：
1. 光电子材料与器件
2. 自旋电子材料与器件
科研项目：
7.日本学术振兴会(JSPS)重大科研项目：氧化物半导体的单晶生长和高性能柔性器件的制备，参与。
6.日本学术振兴会(JSPS)重大科研项目：高性能薄膜材料的界面控制与研制，参与。
5.中央高校基本科研业务费项目：低温高性能非晶 IZTO 基薄膜晶体管的研制，主持。
4. 中央高校基本科研业务费项目：氧化锌基及碘化亚铜基薄膜晶体管的研制，参与。
3. 中央高校基本科研业务费项目：InZnSnO基薄膜晶体管的研制，参与。
2. 国家自然科学基金面上项目：低温金属氧化物薄膜晶体管的研制，参与。
1. 国家自然科学基金面上项目：非晶态金属氧化物透明 TFT 的研究，参与。
代表论文：
16.H. Yang, W. Yang, J. Su, X. Zhang. Preparation and electrical characteristics of transparent thin film transistors with sputtered Aluminum and phosphorus co-doped Indium-Zinc-Oxide channel layer, Solid State Electronics, 2023, 208:108725.
15. P. Ghediya#, H. Yang#, T. Fujimoto, Y. Zhang, Y. Matsuo, Y. Magari, and H. Ohta*, Improved Electron Transport Properties of Zn-rich In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors, Journal of Physical Chemistry C, 2023; 127 (5):2622-2627.
14. H. Yang*, Y. Zhang, Y. Matsuo, Y. Magari, and H. Ohta*, Thermopower Modulation Analyses of High-mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors, ACS Applied Electronic Materials, 2022, 4:5081-5086.
13. H. Yang, W. Yang, J. Su, and X. Zhang*. Enhancement-mode thin film transistor using amorphous phosphorus-doped Indium–Zinc–Tin-Oxide channel layer. Materials science in semiconductor processing, 2022, 137:106228.
12. H.Yang, J. Su, and X. Zhang*. Influence of oxygen flow during sputtering process on the electrical properties of Ga-doped InZnSnO thin film transistor. Semiconductor Science and Technology, 2021, 36:045006.
11. H. Yang, J. Su, R. Li, L. Jia, D. Liu, Y. Ma, and X. Zhang*. Achieving high performance thin film transistors based on Gallium doped Indium Zinc Tin Oxide, Superlattices and Microstructures, 2020, 141:106489.
10. W. Yang, H. Yang, J. Su, X. Zhang*, Preparation and electrical properties of Ni-doped InZnO thin film transistors, Materials science in semiconductor processing, 153, 2023, 107147.
9. J. Su, H. Yang, Y. Ma, R. Li, L. Jia, D. Liu, and X. Zhang. Annealing atmosphere-dependent electrical characteristics and bias stability of N-doped InZnSnO thin film transistors. Materials science in semiconductor processing, 113, 2020, 105040.
8. W. Yang, H. Yang, J. Su, X. Zhang, Preparation and electrical characteristics of Li–N co-doped InZnAlO thin film transistors by radio frequency magnetron sputtering, Vacuum, 205, 2022, 111419.
7. J. Su, H. Yang, W. Yang, X. Zhang, Electrical characteristics of tungsten doped InZnSnO thin film transistors by RF magnetron sputtering. Journal of Vacuum Science & Technology B, 40, 2022, 032201.
6. L. Jia, D. Liu, H. Yang, J. Su, L. Yi, and X. Zhang. Investigation on the electrical properties of amorphous IZALO thin-film transistors. Journal of Materials Science-Materials in Electronics,31, 2020, 4867-4871.
5. J. Su, Y. Ma, H. Yang, R. Li, L. Jia, D. Liu, and X. Zhang. Electrical characteristics of Li and N co-doped amorphous InZnSnO thin film transistors. Journal of Vacuum Science & Technology A, 37, 2019, 061511.
4. L. Jia, J. Su, D. Liu, H. Yang, R. Li, Y. Ma, L. Yi, and X. Zhang. Investigation on the electrical properties of amorphous Indium-Zinc-Titanium-Alumina Oxide thin film transistors. Materials science in semiconductor processing, 106, 2020, 104762.
3. D. Liu, L. Jia, J. Su, Y. Ma, H. Yang, and X. Zhang. Investigation on electrical characteristics of amorphous InZnSnMgO thin film transistors deposited at room-temperature. Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 30, 2019, 20551-20555.
2. J. Su, R. Li, Y. Ma, S. Dai, Y. Wang, H. Yang, and X. Zhang. Annealing temperature effects on the structural and electrical properties of N-doped In-Zn-Sn-O TFT. Journal of Alloys and Compounds, 801, 2019, 33-39.
1. J. Su, Q. Wang, Y. Ma, R. Li, S. Dai, Y. Wang, H. Yang, and X. Zhang. Amorphous InZnO: Li/ZnSnO: Li dualactive-layer thin film transistors. Materials Research Bulletin, 111, 2019, 165-169.
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