李顺朴 特聘教授
个人介绍：
李顺朴，博士，特聘教授。分别在1987年和1990年于兰州大学物理系获学士和硕士学位，1993年于中科院物理所获得博士学位（与前苏联科学院金属物理所合作培养）后留所工作任助理研究员。1998年至2002年在剑桥大学卡文迪许实验室和纳米中心做博士后研究。 于2003年开始从事工业研究，先后在EPSON（爱普生）剑桥实验室，剑桥显示技术公司，丁达尔国家研究院任高级研究员和高级工程师。于2013获欧共体科研基金资助在剑桥大学工程系任玛丽亚-居里高级研究员。研究工作涉及多个领域，包括半导体物理与器件，微/纳米材料加工, 自旋电子材料等。获发明专利28项，参与了四部专著的撰写，作为第一或通讯作者在各种权威刊物上(Nature, Advanced Materials, Physical Review Letters etc.)发表论文60多篇。目前在研的主要项目有国家自然基金面上项目，广东省自然基金面上项目，广东省教育厅创新团队项目。曾主持过欧洲国家级项目两项，欧共体项目一项。
教育背景：
1990.09-1993.06 中科院物理所，博士研究生
1987.09-1990.06 兰州大学，物理系，硕士
1983.09-1987.06 兰州大学，物理系，本科
工作经历：
2018.11-至今 深圳技术大学，新材料与新能源学院，特聘教授
2013.01-2018.11 剑桥大学，工程系，玛丽亚-居里高级研究员
2009.02-2012.11 丁达尔国家研究院，高级研究员
2008.01-2009.01 剑桥显示技术公司，高级工程师
2003.03-2007.12 爱普生剑桥实验室，高级研究员
1998.07-2003.02 剑桥大学卡文迪许实验室/纳米中心，博士后
1993.09-1998.07 中科院物理所，助理研究员
研究方向：
1. 磁性薄膜与磁存储器件
2. 有机半导体器件（OTFT，OLED，OPV）
3. 微纳加工技术（光刻，纳米压印，软刻，自组装）
科研项目：
1. 聚合物有机半导体场效应管及其在柔性显示中的应用,广东省自然科学基金面上项目，2019A1515011673，2019-2022.
2. Self-aligned high-resolution organic ferroelectric transistor based complementary memory, EU FP7, 301028, 2013-2015.
3. Textured dye sensitized solar cell, Enterprise Ireland, CF/2011/1616, 2011- 2013.
4. A novel process for printed electronics: all self-aligned, printed thin film transistors defined by embossed triple banks,Enterprise Ireland, PC/2009/0215, 2009-2011.
代表论文：
1. E. Tan, P. Shrestha, A. Pansare, S. Chakrabarti, S. Li, D. Chu, C. Lowe, A. Nagarkar. Density modulation of embedded nano-particles via spatial Adv. Mater. 51, 1901802 (2019)
2. S. Li et al. Two-dimensional arrays self-assembled via interference of concentration modulation waves in drying solutions Materials Horizons 6，507 (2019).
3. S. Li et al. High-resolution patterning of solution-processable materials via externally engineered pinning of capillary bridges Nat. Commun. 9, 393(2018).
4. J. Wu, Y. T. Chun, S. Li et al. Broadband MoS2 field-effect phototransistors: ultrasensitive visible-light photoresponse and negative infrared photoresponse Adv. Mater. 30,1705880(2018).
5. W. Liu, L. He, Y. Xu, K. Murata, M. Onbasli, M. Lang, N. Maltby, S. Li, X. Wang et al. Enhancing magnetic ordering in Cr-doped Bi2Se3using high-TC ferrimagnetic insulator Nano Lett. 15, 764 (2015).
6. S. Li, W. Chen, D. Chu, S. Roy. Self-aligned, high resolution printed polymer transistors Adv. Mater. 23, 4107 (2011).
7. W. S. Lew, S. Li, L. Lopez-diaz et al. Mirror domain structure induced by interlayer magnetic wall coupling Phys. Rev. Lett. 90, 217201(2003).
8. S. Li, W. S. Lew, J. A. C. Bland et al. Magnetic domain confinement by anisotropy modulation Phys. Rev. Lett. 88, 87202 (2002).
9. S. Li, W. S. Lew, J. A. C. Bland et al. Spin-engineering magnetic media Nature 415, 600(2002).
10. S. Li, D. Peyrade, M. Natali et al. Flux closure structures in cobalt rings Phys. Rev. Lett. 86, 1102(2001).
代表专利：
1. S. Li, C. Newsome, T. Kugler and D. Russel, Method of fabricating a desired pattern of electronically functional material, US2005250244.
2. S. Li, T. Kugler, C. Newsome and D. Russel, A self-aligning patterning method for use in the manufacture of a plurality of thin film transistors,US2006128076.
3. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, A patterning method for fabricating high-resolution structures, US2006194444.
4. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, Organic electronic device fabrication by micro-embossing, US2006/0280021.
5. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, Thin film transistor and method for fabricating an electronic device,US2007/0082438.
6. S. Li, C. Newsome, D. Russel,T. Kugler,and D. Russell,Patterning of electronic devices by brush painting onto surface energy modified substrates, US2007/0105396
7. S. Li and I. Masaya, Electrochemical cell and method of manufacture, US2007119048.
8. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures with multi-leveled thickness contrast, US2007287270.
9. S. Li, C. Newsome and D. Chu, Novel methods of bank structure fabrication for ink-jet printing,US2008006161.
10. S. Li, C. Newsome and D. Chu, Method for forming surface energy difference bank, patterning method, bank structure, electronic circuit, electronic device, and electronic apparatus, US2008017606 (A1).
联系方式：
电子邮箱：lishunpu@sztu.edu.cn
