近日，深圳技术大学新材料与新能源学院2018级新能源科学与工程专业本科生陈志仁和陈泽瀚以共同第一作者身份连续发表两篇JCR一区论文，指导教师为新材料与新能源学院安红雨副教授。

从左至右：安红雨老师、陈志仁、陈泽瀚、刘琳、郑鸿男

其中一篇发表在国际著名期刊、JCR一区Advanced Electronic Materials期刊上。共同第一作者为叶志祥副研究员、陈志仁、陈泽瀚，共同作者有2018级新能源科学与工程专业本科生刘琳、郑鸿男，2019级新能源科学与工程专业本科生王秋宁。论文题目为Spin-Orbit Torque and Interfacial Dzyaloshinskii–Moriya Interaction in Heavy Metal/Ferrimagnetic Insulator Deposited by Magnetron Sputtering（《磁控溅射镀膜法制备重金属/亚铁磁绝缘体异质结中自旋轨道矩和DMI效应》）。

Advanced Electronic Materials期刊是国际电子材料与科学技术领域重要期刊之一，JCR一区期刊，由Wiley出版社出版，最新影响因子7.295。

论文链接：https://doi.org/10.1002/aelm.202100590

论文简介：

基于自旋轨道矩(spin-orbit torque, SOT)的最新一代自旋磁存储技术由于其超快读写速度、超低能耗、超高安全性等优点而备受关注，有望取代传统的固态存储技术(静态随机存储、动态随机存储和闪存)。其中重金属/铁磁体异质结构是SOT磁存储芯片的核心结构，而采用磁性绝缘体能够彻底消除电流通过铁磁体所产生的焦耳热，进一步降低能耗，增强芯片安全性。为了制备具有高存储密度的垂直磁各向异性磁性绝缘体纳米薄膜，以往研究中通常采用制备工艺复杂的传统脉冲激光沉积法。

本研究采用利于大规模工业化制备的磁控溅射镀膜法，成功制备出了强垂直磁各向异性磁性绝缘体纳米薄膜。通过采用磁控溅射镀膜法制备Pt/TmIG异质结，并精确测量其SOT和DMI。研究发现，采用磁控溅射镀膜法制备的Pt/TmIG异质结，其SOT产生效率要比以往采用脉冲激光沉积法制备的Pt/TmIG异质结显著增强。本研究为提高SOT产生效率，降低能耗提供了科学理论依据，并为高效率、低能耗新型自旋磁存储芯片的研发提供了理论指导。

另外一篇发表在JCR一区Nanomaterials期刊上。共同第一作者为陈志仁和陈泽瀚，共同作者有2018级新能源科学与工程专业本科生刘琳、郑鸿男。论文题目为Magnon Torque Transferred into a Magnetic Insulator through an Antiferromagnetic Insulator（《通过反铁磁绝缘体注入磁性绝缘体的磁子转矩》）。

Nanomaterials期刊由MDPI出版社出版， JCR一区期刊，期刊以快速发表国际纳米材料领域内最新研究成果著称，最新影响因子5.076。

论文链接：https://doi.org/10.3390/nano11112766

论文简介：

磁子转矩是自旋电子学领域近年来新兴的一个应用研究方向。由于其在绝缘体中能进行长距离有效输运，从而将电流的焦耳热能耗降到极限而得到广泛关注。

本研究首次报道了磁子转矩通过反铁磁绝缘体可以有效注入磁性绝缘体。我们利用磁控溅射镀膜法制备了Pt/NiO/TmIG异质结器件，并通过系统改变反铁磁绝缘体NiO的厚度，精确测量了注入磁性绝缘体TmIG的SOT产生效率。研究发现，即使当NiO厚度为10nm的时候，磁子转矩仍然可以在NiO中输运并注入TmIG。本研究为研发基于磁子转矩的超低能耗自旋磁存储芯片提供了科学理论指导。

2018级新能源科学与工程专业本科生陈志仁和陈泽瀚两位同学自大二开始参加高级项目研究课程以来，已经分别以第一或共同第一作者身份发表了3篇SCI论文，理论知识和实践动手能力得到了显著提升，期待他们秉承唯实求精的科学研究精神，在未来实现更多科研方面的突破。